STMicroelectronics: con TSMC per accelerare adozione prodotti GaN

STMicroelectronics e TSMC stanno collaborando per accelerare lo sviluppo di tecnologie di processo per il nitruro di gallio (GaN) e la fornitura al mercato di dispositivi GaN discreti e integrati. Grazie a questa collaborazione, i prodotti innovativi e strategici di ST basati sul GaN saranno fabbricati utilizzando tecnologia di processo GaN di TSMC all’avanguardia.

Nel comunicato congiunto diffuso stamattina dalle due big tecnologiche si legge che il nitruro di gallio è un materiale semiconduttore a bandgap ampio che offre vantaggi significativi rispetto ai semiconduttori tradizionali basati sul silicio per le applicazioni di potenza. Tra questi figurano la maggiore efficienza energetica a potenze più elevate. ST prevede di consegnare i primi esemplari di dispositivi di potenza discreti basati su GaN ai clienti principali più tardi quest’anno per poi proseguire, entro pochi mesi, con i circuiti integrati GaN.