STM insieme a GlobalFoundries per nuovo impianto manifatturiero da 300 mm in Francia
STMicroelectronics e GlobalFoundries (produttore di semiconduttori ricchi di funzionalità) hanno firmato un memorandum d’intesa per la creazione di un nuovo impianto manifatturiero a gestione congiunta per la produzione di semiconduttori su wafer di silicio da 300 mm adiacente all’impianto da 300 mm di ST a Crolles, in Francia. Questo impianto dovrebbe arrivare a pieno regime entro il 2026, con una produzione equivalente a fino 620.000 wafer da 300 mm l’anno a costruzione ultimata (circa 42% ST e circa 58% GF). E’ quanto si apprende in un comunicato congiunto nel quale si precisa che le due società “si impegnano ad aumentare la capacità produttiva a vantaggio della propria base di clienti europei e globali”.
Questo nuovo impianto supporterà varie tecnologie, in particolare le tecnologie basate sulla tecnologia FD-SOI, e coprirà diverse varianti. Tra queste, la tecnologia leader di mercato FDX di GF e la vasta roadmap tecnologica di ST fino a dimensioni minime da 18 nm. Per entrambi la domanda dovrebbe rimanere sostenuta, soprattutto per le applicazioni automotive, IoT e mobile nei prossimi decenni. Per il nuovo stabilimento, ST e GF “riceveranno sostegno finanziario significativo dallo Stato francese – precisa la nota -. L’impianto apporterà un importante contributo agli obiettivi del Chips Act Europeo, compreso l’obbiettivo dell’Europa di raggiungere il 20% della produzione mondiale di semiconduttori entro il 2030”.
